深圳新聞網(wǎng)2025年10月18日訊（記者 李豫軍）10月15日，2025灣區(qū)半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)博覽會（灣芯展）在深圳會展中心（福田）盛大啟幕。在這場匯聚600余家全球半導體領軍企業(yè)的行業(yè)盛會上，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心深圳綜合平臺（簡稱“深圳綜合平臺”）攜多項核心技術成果驚艷亮相，以“開放共享”之姿，為破解產(chǎn)業(yè)“卡脖子”難題注入強勁動能。

技術成果發(fā)布：不只是領先，更是“破局”

功率半導體是現(xiàn)代電力電子器件、射頻器件的“核心潛力股”，尤其在高壓、高頻、大功率場景中不可或缺。從碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）到氧化鎵、金剛石等超寬禁帶材料，半導體技術正不斷突破天花板。

深圳綜合平臺作為全球首個集科研與中試于一體的8吋先進功率半導體開放共享平臺，已構建從研發(fā)到產(chǎn)業(yè)化的全鏈條能力，設立四大中心，服務超30家合作伙伴、10家中試客戶、45家檢測客戶，并與8所高校開展科研合作或共建聯(lián)合實習基地。

2025年，平臺完成技術平臺1.0，實現(xiàn)多項關鍵技術突破：

襯底加工：率先實現(xiàn)碳化硅激光剝離技術，8吋單片總損耗＜75μm，切割時間≤20分鐘，成本降低26%，整體性能達到國際領先水平。

碳化硅外延：突破200μm超厚膜缺陷控制技術，并在商用4°偏角襯底上首次實現(xiàn)3C-SiC高質量外延生長，為解決柵氧遷移率難題開辟新路徑。

1200V SiC平面柵與溝槽柵：突破超窄元胞結構、超高深寬比工藝等關鍵技術，器件性能達到業(yè)界先進水平，并構建全流程自主可控8英寸溝槽柵工藝平臺。

GaN外延與器件：高壓1200V外延達到國際先進水平，面向車規(guī)應用；低壓15-40V外延突破選區(qū)二次外延技術，為AI供電芯片掃清障礙。

全系GaN器件平臺：在25V至650V電壓范圍實現(xiàn)行業(yè)領先，關鍵技術全面突破。

平臺還自研業(yè)界首臺多功能超寬禁帶材料表征系統(tǒng)，并基于國產(chǎn)材料制備出國內首個氮化鋁/富鋁鎵氮HMET器件。同時，自主仿真設計平臺與PDK 0.5版本也已上線，為芯片設計企業(yè)提供堅實支撐。

未來，平臺進一步提升功率密度和器件可靠性，同時在第四代器件方面取得突破，如推出GaN/SiC混合場效應晶體管、SiC 20kV IGBT等。

生態(tài)共建：14家伙伴簽約，EDA平臺正式啟用

獨行快，眾行遠。展會期間，深圳綜合平臺與14家產(chǎn)業(yè)鏈伙伴完成合作簽約，覆蓋材料、器件、工藝與應用全環(huán)節(jié)，推動技術成果加速落地。

同時，在國創(chuàng)中心總部指導下，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心EDA設計公共平臺正式揭牌啟用。該平臺將直面設計與流片驗證的“卡點”，助力客戶基于國產(chǎn)EDA工具與中試線完成芯片驗證，打造自主可控的設計仿真支撐體系。

國產(chǎn)裝備集體亮相：123臺設備完成驗證，16臺為首臺套

在國產(chǎn)化進程中，深圳綜合平臺攜手北京北方華創(chuàng)、大族半導體、上海精測等13家國產(chǎn)設備商，共同點亮16臺國產(chǎn)首臺（套）設備標識，標志著8吋寬禁帶半導體國產(chǎn)工藝設備驗證成果正式發(fā)布。

截至目前，平臺已完成123臺套國產(chǎn)設備的驗證與熟化，其中16臺為細分領域首臺套，關鍵材料國產(chǎn)化驗證率高達96%，有力推動產(chǎn)業(yè)鏈自主可控。

開放共享，共創(chuàng)“芯”未來

此次灣芯展之行，深圳綜合平臺不僅展示了技術平臺1.0的硬核實力，更通過EDA平臺啟用、國產(chǎn)設備驗證、PDK/MPW發(fā)布等舉措，彰顯其推動中國半導體產(chǎn)業(yè)自主可控與高質量發(fā)展的決心。未來，平臺將繼續(xù)秉持開放理念，與全球伙伴攜手，共創(chuàng)半導體新未來。